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1. Übersicht über die verschiedenen Arten von Feldeffekttransistoren.- 1.1. Einführung.- 1.2. Feldeffekttransistoren mit Steuerung über gesperrte Diode.- 1.3. Feldeffekttransistoren mit Steuerung über isolierende Schicht.- 1.4. Feldeffekttransistoren in Dünnfilmtechnik.- 1.5. Sonderformen von Feldeffekttransistoren.- 2. Grundstrukturen und ihre Wirkungsweise.- 2.1. IGFET.- 2.2. NIGFET.- 2.3. Tetroden.- 2.4. Feldeffekttransistoren mit Raumladungsbegrenzung.- 2.5. Dünnfilmtransistoren.- 3. Verfeinerte Theorie.- 3.1. Berücksichtigung der Substratladung beim IGFET.- 3.2. Berücksichtigung der Substratladung beim NIGFET.- 3.3. Dünnfilmtransistoren mit gegenüber der Isolatorschicht dicken Leitschichten.- 3.4. Einfluß von Zuleitungswiderständen.- 3.5. Substratsteuerung.- 3.6. Kanalladung und Kapazitäten.- 3.7. Driftsättigung und Sättigungsbereich.- 4. Eigenschaften der Steuerstrecke.- 4.1. Halbleiteroberfläche.- 4.2. Isolatorbedeckte Halbleiteroberfläche.- 4.3. MIS-Kontakt.- 4.4. Metalloberfläche.- 4.5. Metall-Halbleiter-Kontakt.- 4.6. MeS-Steuerstrecke.- 4.7. pn-Kontakt.- 4.8. Steuerstrecke als RC-Leitung.- 5. Computerlösungen.- 5.1. Digitalsimulation.- 5.2. Analogsimulation.- 6. Schaltungseigenschaften.- 6.1. Arbeitspunkt.- 6.2. Verzerrungen.- 6.3. Grund- und Verbundschaltungen.- 6.4. Hochfrequenzverhalten.- 6.5. Schaltverhalten.- 6.6. Digitalkopplungen.- 7. Stabilität und Temperaturverhalten.- 7.1. Alterungs- und Drifteffekte.- 7.2. Strahlungsempfindlichkeit.- 7.3. Temperaturverhalten.- 8. Rauschen.- 9. Anwendungen der verschiedenen FET-Arten.
1. Übersicht über die verschiedenen Arten von Feldeffekttransistoren.- 1.1. Einführung.- 1.2. Feldeffekttransistoren mit Steuerung über gesperrte Diode.- 1.3. Feldeffekttransistoren mit Steuerung über isolierende Schicht.- 1.4. Feldeffekttransistoren in Dünnfilmtechnik.- 1.5. Sonderformen von Feldeffekttransistoren.- 2. Grundstrukturen und ihre Wirkungsweise.- 2.1. IGFET.- 2.2. NIGFET.- 2.3. Tetroden.- 2.4. Feldeffekttransistoren mit Raumladungsbegrenzung.- 2.5. Dünnfilmtransistoren.- 3. Verfeinerte Theorie.- 3.1. Berücksichtigung der Substratladung beim IGFET.- 3.2. Berücksichtigung der Substratladung beim NIGFET.- 3.3. Dünnfilmtransistoren mit gegenüber der Isolatorschicht dicken Leitschichten.- 3.4. Einfluß von Zuleitungswiderständen.- 3.5. Substratsteuerung.- 3.6. Kanalladung und Kapazitäten.- 3.7. Driftsättigung und Sättigungsbereich.- 4. Eigenschaften der Steuerstrecke.- 4.1. Halbleiteroberfläche.- 4.2. Isolatorbedeckte Halbleiteroberfläche.- 4.3. MIS-Kontakt.- 4.4. Metalloberfläche.- 4.5. Metall-Halbleiter-Kontakt.- 4.6. MeS-Steuerstrecke.- 4.7. pn-Kontakt.- 4.8. Steuerstrecke als RC-Leitung.- 5. Computerlösungen.- 5.1. Digitalsimulation.- 5.2. Analogsimulation.- 6. Schaltungseigenschaften.- 6.1. Arbeitspunkt.- 6.2. Verzerrungen.- 6.3. Grund- und Verbundschaltungen.- 6.4. Hochfrequenzverhalten.- 6.5. Schaltverhalten.- 6.6. Digitalkopplungen.- 7. Stabilität und Temperaturverhalten.- 7.1. Alterungs- und Drifteffekte.- 7.2. Strahlungsempfindlichkeit.- 7.3. Temperaturverhalten.- 8. Rauschen.- 9. Anwendungen der verschiedenen FET-Arten.
