Formowanie HgCdTe (MCT) przez ELEKTRROCHEMICZN¿ DEPOZYCJ¿ ATOMOW¿ LAYERU

HgCdTe lub Mer-Cad-Tel jest najcz--ciej stosowanym materiäem w podczerwieni. W niniejszej pracy opisano wzrost MCT za pomoc- elektrochemicznego ALD, przy u-yciu zautomatyzowanego systemu elektrochemicznego osadzania w ogniwach przep-ywowych. Z-o-a scharakteryzowano za pomoc- dyfrakcji rentgenowskiej (XRD), mikroanalizy sond elektronowych (EPMA) oraz absorpcji odbicia Fouriera transformuj-cego spektroskopi- w podczerwieni (FTIR). Osadzone warstwy wykazywäy siln- (111) preferowan- orientacj-. Zmiany w sk-adzie depozytu wykazäy oczekiwany trend w szczelinach pasmowych: im wi-cej Hg, tym mniejsza szczelina pasmowa, ale z pewnymi znacz-cymi odchyleniami. Badania elektrochemicznej mikrowagi kwarcowej (EQCM), wykorzystuj-cej zautomatyzowan- komórk- przep-ywow-, wykazäy, -e cz--- zdeponowanej p-yty Cd by-a usuwana z potencjäów wykorzystywanych do deponowania Hg. Ponadto, wymiana redoksów zdeponowanego Cd na Hg by-a oczywista, co by-o funkcj- wi-kszej stabilno-ci Hg ni- Cd.

Venkatram Venkatasamy ha conseguito la laurea in ingegneria chimica ed elettrochimica presso l'Istituto centrale di ricerca elettrochimica, India, nel 2002 e un dottorato di ricerca in chimica presso l'Università della Georgia, USA, nel 2007. Successivamente è entrato a far parte della ricerca di Seagate a Bloomington, MN, dove attualmente sta lavorando alle future tecnologie per le unità disco.