Etude des propriétés optoélectroniques des PQs GaAsNBi/GaAs dopés n

Les matériaux à haut désaccord d-électronégativité HMAs (High Mismatched Alloys), tels que III-V-N-Bi, présentent des propriétés électriques et optiques adaptées à la réalisation des dispositifs optoélectroniques. Les quaternaires GaNAsBi dévoilent une bonne stabilité thermique de ces propriétés physiques lors de fonctionnement à température variable. Actuellement, le développement technologique de techniques d-élaboration, telles que l-EJM et l-EPVOM, permet d-atteindre des compositions autour de 10% en Bi et ouvre la voie devant l-épitaxie d-une nouvelle génération des hétérostructures quantiques à base de GaAsBi, GaAsN et GaNAsBi. Malgré la nature intrinsèque de ces structures quantiques, les études menées à présent montrent qüelles peuvent être des candidates potentielles dans la fabrication des photodétecteurs ou émetteurs thermiquement stables et opérants dans les longueurs d-ondes 1,3 et 1,55 µm destinées aux télécommunications optiques. Par comparaison aux travaux réalisés sur les matériaux III-V, il est vital que les choix du taux de dopage ainsi que la zone à doper dans une structure conçue pour une application donnée soient parmi les facteurs à optimiser.

Chakroun Bilel, docteur en Physique des matériaux, Prof. Assistant à l'université de Jouf, Faculté des Science, Sakaka, Arabie Saoudite.