Miglioramento delle prestazioni delle SRAM FINFET utilizzando diversi materiali per i gate

Questo libro descrive il concetto di progettazione di SRAM nelle tecnologie FinFET utilizzando le caratteristiche uniche dei dispositivi a doppia griglia non planari. Viene esplorato lo spazio dei parametri richiesto per la progettazione dei FinFET. Verranno presentate diverse tecniche di progettazione di SRAM che sfruttano i vantaggi delle configurazioni a gate vincolato e a gate indipendente. Le prestazioni, la potenza e la stabilità delle SRAM per i dispositivi FinFET sono confrontate con le controparti CMOS planari convenzionali. Verrà inoltre presentata la modellazione della variabilità dei FinFET attraverso le statistiche. Il dispositivo MOSFET è stato confrontato sia con il poli-silicio che con il molibdeno come materiale di gate e il dispositivo FinFET è stato progettato con diversi materiali di gate come oro, tungsteno, tantalio e molibdeno e i risultati sono stati confrontati con i dispositivi con materiale di gate in poli-silicio.

O Sr. M.Manikandan está atualmente a tirar o seu doutoramento na área da fotónica na Universidade de Karunya, Coimbatore. Publicou 11 artigos de investigação em revistas internacionais, incluindo revistas SCI, e 3 artigos de investigação em conferências nacionais internacionais. Atualmente, trabalha no KPR Institute of Engineering & Technology, Coimbatore.