Badania oporno¿ci elektrycznej pó¿przewodników z chalkogenków metali

Pó-przewodniki s- niedocenianymi filarami nowoczesnej technologii. W ci-gu ostatniej dekady pó-przewodnikowe warstwowe dichalkogenki metali stäy si- obiecuj-cymi materiäami do szerokiego zakresu zastosowä w optoelektronice i technologii tranzystorowej. Z tego powodu znajomo-- ich w-äciwo-ci elektrycznych w warunkach zmiennej temperatury lub ci-nienia jest wäna dla takich zastosowä. Co wi-cej, badanie materii w ekstremalnych warunkach jest g-ównym tematem w szerokim zakresie dyscyplin naukowych (np. materiäoznawstwo, chemia, fizyka oraz nauki o Ziemi i planetach). Bior-c pod uwag- te aspekty, niniejsza ksi--ka opisuje ró-ne metody wzrostu krysztäów, eksperymentaln- metod- generowania pod wysokim ci-nieniem, badania magnetorezystancji i pomiary rezystywno-ci elektrycznej chalkogenków metali pod wysokim ci-nieniem i w niskiej temperaturze.

Dr Sandip V. Bhatt uko-czy- studia doktoranckie (2014) w dziedzinie eksperymentalnej fizyki materii skondensowanej na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Sardar Patel, Vallabh Vidyanagar, Gujarat, INDIE. Jego obszar specjalizacji obejmuje: Wzrost Krysztäów, Syntez- i Charakterystyk- Materiäów Nanostrukturalnych, Badania Wysokiego Ci-nienia i Zwi-kszony Odzysk Ropy Naftowej.