HYBRIDE SPEICHERSYSTEME DER KLASSE

In diesem Projekt wird der Entwurf eines sicheren Systems zur doppelten Integritätsprüfung unter Verwendung von Speichern der Hybridklasse umgesetzt. Grundsätzlich sind die integrierten Chips sehr kompliziert, um die Dichte des Chips zu erhöhen und die Größe des Chips zu verringern. Um dies zu überwinden, wird ein SCM-Array implementiert. Der Migration Handler wird die Speicher wie nicht flüchtige Speicher und dynamische Direktzugriffsspeicher verwalten. Die Speicher-Controller-Bank kontrolliert die gespeicherten Daten, die vom NVM- und DRAM-Manager stammen. Nun werden diese gespeicherten Daten mit Hilfe des Double Integrity Controllers vermischt. In diesem werden Lese- und Schreiboperationen basierend auf dem W-SCM und R-SCM durchgeführt. Zuletzt werden die erhaltenen Daten in der Cache-Bank des Speichers gespeichert. Aus den Ergebnissen geht hervor, dass das hybride SCM die Verzögerung auf effektive Weise reduziert.SCHLÜSSELWÖRTER: Random Access Memory (RAM), SCM (Storage Class Memories), Dynamic Random Access Memory (DRAM), Non Volatile Memory (NVM), W-SCM (Write Storage Class Memories) und R-SCM (Read Storage Class Memories).
In diesem Projekt wird der Entwurf eines sicheren Systems zur doppelten Integritätsprüfung unter Verwendung von Speichern der Hybridklasse umgesetzt. Grundsätzlich sind die integrierten Chips sehr kompliziert, um die Dichte des Chips zu erhöhen und die Größe des Chips zu verringern. Um dies zu überwinden, wird ein SCM-Array implementiert. Der Migration Handler wird die Speicher wie nicht flüchtige Speicher und dynamische Direktzugriffsspeicher verwalten. Die Speicher-Controller-Bank kontrolliert die gespeicherten Daten, die vom NVM- und DRAM-Manager stammen. Nun werden diese gespeicherten Daten mit Hilfe des Double Integrity Controllers vermischt. In diesem werden Lese- und Schreiboperationen basierend auf dem W-SCM und R-SCM durchgeführt. Zuletzt werden die erhaltenen Daten in der Cache-Bank des Speichers gespeichert. Aus den Ergebnissen geht hervor, dass das hybride SCM die Verzögerung auf effektive Weise reduziert.
SCHLÜSSELWÖRTER: Random Access Memory (RAM), SCM (Storage Class Memories), Dynamic Random Access Memory (DRAM), Non Volatile Memory (NVM), W-SCM (Write Storage Class Memories) und R-SCM (Read Storage Class Memories).

La Sra. Y. Lavanya completó su B.Tech de Kuppam Engineering College, Kuppam en el año 2007 y completó M.Tech en el año 2013. En la actualidad, trabaja como profesora asociada en el Departamento de ECE, Ramachandra College of Engineering, Eluru. Tiene 12 años de excelente experiencia docente y ha publicado varios artículos de investigación