Materiali siliconici - il futuro del fotovoltaico

La monografia è dedicata ai problemi e alle possibilità di utilizzare il silicio per creare dispositivi e dispositivi di nanoelettronica e fotoenergia. Sono fornite rappresentazioni di effetti quantistici-dimensionali. Possibilità della loro manifestazione in elementi e strutture in silicio, così come limitazioni fisiche. Principali design e indicatori tecnici e operativi: la tecnologia per ottenere materiale semiconduttore con celle elementari AII BVI e AIII BV nel reticolo di silicio, a seconda della loro composizione e struttura, come nuovo materiale promettente per la fotoenergia e la fotonica. Gli autori esprimono la loro particolare gratitudine all'Accademico dell'Accademia delle Scienze della Repubblica dell'Uzbekistan M.K.Bakhadyrkhanov per l'assistenza tempestiva in campo scientifico e il supporto pratico nella stesura di questa monografia. Sono state prese in considerazione le più promettenti possibilità tecnologiche per la formazione di strutture in silicio su scala nanometrica.

DSc. N.Zikrillayev - dyplom z fizyki pó-przewodników. Jego praca magisterska z zakresu pó-przewodnikowych samoscylacji. Pracuje w TSTU.Doktorat. E. Saitov - dyplom z fizyki pó-przewodników. Praca w DSc w technologii ogniw krzemowych opartych na nanostrukturach krzemowych. Praca w TSTU.