Comportement Des Diodes Lors D¿évènements Transitoires Rapides

Les travaux développés dans cette thèse concernent l'étude, la caractérisation et la modélisation du comportement des diodes lors d'évènements transitoires rapides de type ESD. Dans un premier temps, un nouveau banc de mesure capable de fournir rapidement des résultats sur le comportement des structures de protections ESD lors d'un événement transitoire très rapide a été développé : le VF-TCS - Very Fast Transient Characterization System. Ce système permet d'étudier le comportement transitoire, dans des gammes de temps propres au CDM, des structures de protection que sont la diode, le GGNMOS, la protection centrale et le thyristor. Dans un deuxième temps, un nouveau modèle compact de diode capable de retranscrire avec précision son comportement lors d'un événement transitoire très rapide a été développé. Les concepteurs ont désormais des résultats de simulations fiables mettant en exergue les faiblesses potentielles de leurs stratégies de protection, notamment en ce qui concerne les surtensions éventuelles pouvant constituer un danger pour le circuit à protéger.

Manouvrier JR a reçu le diplôme d'ingénieur de l'Institut National Polytechnique de Grenoble en 2005 et le diplôme de doctorat de l'université de Montpellier en 2008.Il travaille actuellement sur la modélisation compacte des dispositifs ESD et photonique à STMicroelectronics et est titulaire de brevets dans le domaine de la modélisation.