Termodynamiczna analiza procesów wzrostu warstwy epitaksjalnej

Niniejsza praca jest po-wi-cona analizie termodynamicznej procesów fizykochemicznych wzrostu warstw epitaksjalnych zwi-zku pó-przewodnikowego Ga2Se3 z fazy gazowej w uk-adzie przep-ywowym Ga - Se - Cl - H oraz modelowaniu procesów technologicznych w celu prognozowania mo-liwych wariantów technologicznych i okre-lenia optymalnych warunków syntezy tego zwi-zku. Podano wyniki badä nad definiowaniem i obliczaniem parametrów termodynamicznych poszczególnych substancji systemu Ga - Se - Cl - H, do wykorzystania przy termodynamicznym modelowaniu procesów wzrostu warstw epitaksjalnych Ga2Se3 z fazy gazowej. Zbadano zwi-zek pomi-dzy zmiennymi termodynamicznymi a parametrami technologicznymi procesu syntezy Ga2Se3 w reaktorze typu otwartego z oddzielnymi -ród-ami galu i selenu. Zilustrowano schemat obliczenia parametrów technologicznych procesu narastania warstw epitaksjalnych Ga2Se3 w uk-adzie transportu gazu przep-ywowego z wydzielonymi -ród-ami galu i selenu.

Rahman Agamirza oglu Bakhyshov was born in Azerbaijan in 1950. I graduated from Azerbaijan Pedagogical Institute with a degree in physics in 1971. In 1989, he defended his PhD thesis on semiconductor and dielectric physics. Currently I work at the National Aviation Academy as an associate professor of the Higher Mathematics Department.