MOSFET GAA senza giunzioni

Nel panorama in continua evoluzione della tecnologia dei semiconduttori, la ricerca di dispositivi più piccoli, più veloci e più efficienti è stata la forza trainante dell'innovazione. Tra la miriade di progressi, la comparsa del transistor a effetto di campo metal-ossido-semiconduttore (MOSFET) senza giunzioni GAA (Junctionless Gate-All-Around) spicca come una pietra miliare della trasformazione. Questo libro è un'esplorazione del MOSFET GAA senza giunzioni, un'innovazione che promette di ridefinire i confini della progettazione dei transistor convenzionali. Dalla sua genesi concettuale alle sue implicazioni pratiche in diversi settori, questo libro si propone di svelare le complessità di questa tecnologia all'avanguardia. Con una miscela di approfondimenti tecnici, applicazioni pratiche e prospettive lungimiranti, cerca di illuminare il percorso verso un futuro in cui i MOSFET GAA senza giunzioni giocheranno un ruolo fondamentale nel panorama dei semiconduttori.

Rajni Gautam a obtenu un doctorat, une maîtrise et une licence en électronique de l'université de Delhi (Inde) en 2014, 2009 et 2007 respectivement. Elle a publié 16 articles dans des revues internationales de renom et 15 articles dans des conférences internationales. Son nombre total de citations est de 338 avec un h-index de 10.