Napromieniowanie elektronami MeV heterostruktur Si

Badano generowanie defektu radiacyjnego przez napromieniowanie elektronami MeV o wysokiej energii struktury n- i p- typu Si-SiO2 ró-nymi rodzajami tlenków. Zmiany morfologiczne tlenku Si-SiO2 podczas napromieniania elektronami MeV obserwowano za pomoc- AFM. Przedstawiono zaimplantowane struktury Si-SiO2 z jonu Si+ przed i po näwietlaniu elektronami MeV. Redystrybucj- atomów tlenu i krzemu oraz generacj- nanokrysztäów Si podczas napromieniania elektronów MeV obserwowano odpowiednio za pomoc- technik RBS/C i AFM. Przeprowadzono równie- badania w-äciwo-ci optycznych, fotoluminescencji i spektroskopowe näwietlanych elektronami MeV folii SiOx.

Prof. Sonia Kaschieva PhD, DSc, ISSP, BAS. Sofia, Bügaria. Urodzona w 1943 r. w Bügarii. 1999 - Doktor nauk w JINR, Dubna, Rosja. 2004 - Profesor, cz-onek stowarzyszony ISSP - BAS. Prof. Sergey N. Dmitriev PhD, DSc, JINR, Dubna - Rosja Urodzony w 1954, Rosja 1996 - Doktor nauk w JINR, Dubna, Rosja 2000 - Profesor, dyrektor FLNR JINR.