Podró¿ w kierunku nanodrutów

Przemys- mikroelektroniczny przeszed- do re-imu Nanoskali, co pozwoli-o na osi-gni-cie niskiego poboru mocy i wysokiej szybko-ci prze--czania w obwodach elektronicznych. Wed-ug International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020, dzisiejsza technologia osi-gn--a rozmiar elementu poni-ej 10nm i zmierza w kierunku 5,6nm. W celu podtrzymania skalowania nie tylko konieczne jest opracowanie nowych architektur urz-dze-, ale mo-e by- równie- wymagane zast-pienie krzemu. Intel opracowä urz-dzenia oparte na tranzystorach trójbramkowych o d-ugo-ci bramki 14nm. Wielobramkowe tranzystory FET i struktury tranzystorowe Nanowire s- odpowiednie dla technologii poni-ej w-z-a 14nm. Jednak pionowe nanodruty opracowane z materiäów z-o-onych III-V, tlenków o wysokim wspó-czynniku- i metalowych bramek maj- lepsze osi-gi.

Subha Subramaniam ha realizado una contribución única en los amplios desarrollos técnicos del campo de la nanoelectrónica. En más de 20 años de docencia, ha sido profesora asociada y ha impartido varias asignaturas en el campo de la electrónica. Actualmente está afiliada al Shah and Anchor Kutchhi Engineering College, Mumbai, INDIA.